作井康司氏による特別講演会を開催します(2019年10月24日)

作井康司氏による特別講演会を開催します(2019年10月24日)

作井康司 氏(ホンダリサーチ・インスティチュート・ジャパン)をお招きして特別講演会を開催します。聴講自由ですので、学内外問わず、どなたでもご参加可能です。

本講演会は博士課程教育リーディングプログラムの授業(バトンゾーン特論)として開催するもので、学生自らが企画したものです。本企画は、リーディングプログラム履修生の電気・電子情報工学専攻 森川雄介さんらによるものです。

 

日時:  令和元年10月24日(木)14:40~16:10

場所:  本学講義棟 A2-101

演題:  フラッシュメモリの発明に繋がった大切な出会い

概要:
東芝を代表とする日本がフラッシュメモリの技術革新を牽引した結果、iPhone等のスマートフォン、USB、SDカード、SDDと広く応用されています。全世界で生産されるフラッシュメモリは、2017年には6兆円のビジネスに到達し、Google等のサーバーに搭載され、そのための研究開発も活発に進められています。本講演では、(1)東芝の舛岡富士雄博士が発明したフラッシュ、NOR型フラッシュメモリ、NAND型フラッシュメモリがいかに生み出されたか、(2)研究技術者を育てることが研究開発に必要であり、0から1を起こすための研究開発には、特許、論文、製品が大切であることを、お話いただく予定です。

 

※本講演の録音・録画・ストリーミング・アーカイブを禁止いたします。

 

作井康司氏@バトンゾーンチラシ